AlGaInN四元系氮化物分离研究

• 作者: 刘颂豪 李述体 范广涵 郭志友 黄琨
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 相分离 价力场 AlxGayIn1-x-yN LED
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 714-718
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2006.05.026

摘要

氮基四元Ⅲ-Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件.可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小,得到在与衬底晶格匹配的情况下不同的材料禁带宽度,但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长.所以应用价力场模型(VFF)研究它的热动力稳定性,得出了AlGaInN不稳定的二相区间,并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系.希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	刘颂豪	华南师范大学光电子材料与技术研究所	308	3297	27.0	39.0
3	郭志友	华南师范大学光电子材料与技术研究所	34	336	12.0	17.0
4	黄琨	华南师范大学光电子材料与技术研究所	10	78	4.0	8.0
5	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0