聚3-己基噻吩的光电性能研究

• 作者: 蔡春立 郝彦忠
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 聚3-己基噻吩 光电化学 导电聚合物
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: O64|TQ251.2
• 字数: 1959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.01.006

摘要

利用光电化学方法研究了聚3-己基噻吩的光电化学性质,其禁带宽度为1.89eV,同时确定了它的价带位置(-3.6eV)、导带位置(-5.4eV).研究发现聚3-己基噻吩属于直接跃迁型半导体,在本文条件下得到的最高IPCE值达5.2%

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝彦忠	河北科技大学理学院	77	598	13.0	19.0
5	蔡春立	河北科技大学化学与制药工程学院	5	37	3.0	5.0