SiO2纳米颗粒对电化学沉积半金属Bi膜的影响

• 作者: 任山 刘向阳 刘杨 张晨阳 梁才华 罗婷
• 来源期刊: 中山大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料 铋膜 电化学沉积 纳米复合膜 SiO2纳米颗粒
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TB34|O472.7
• 字数: 3025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2006.06.009

摘要

研究了SiO2纳米颗粒对电化学沉积半金属Bi膜沉积过程和膜形貌、结构的影响.利用I-V循环扫描曲线分析了未掺与掺入SiO2纳米颗粒后薄膜沉积过程的电化学特性,应用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对膜的微观表面形貌及相结构进行了表征.实验结果表明,加入SiO2纳米颗粒引起电沉积过程中还原电势向正电位方向移动,使Bi3+离子的还原沉积更容易,但不对Bi膜的溶解电位产生明显影响.加入SiO2纳米颗粒后能显著影响沉积膜的形貌,具有明显细化晶粒的效果.总之,SiO2纳米颗粒的加入及加入量显著影响Bi膜的电化学沉积过程和形貌、结构.