β-FeSi2材料的生长、性质及其在光电子器件中的应用

• 作者: 李成 赖虹凯 陈荔群
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: Β-FESI2 光学性质 光电子器件
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN304

摘要

过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料，禁带宽度约0．8eV，是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池，热电器件等最有发展前景的硅基材料之一。目前，已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试，取得了一定的成功。文中就近年来β-FeSi2薄膜材料的生长，性质以及在光电子器件中的应用进行了评述。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖虹凯	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	17	32	3.0	5.0
2	李成	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	45	140	7.0	11.0
3	陈荔群	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	1	0	0.0	0.0