磁头表面氟代硅烷自组装膜的制备和表征

• 作者: 温诗铸 胡晓莉 雒建斌
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磁头 1H,1H,2H,2H-全氟癸烷基三乙氧基硅烷 自组装膜 表征 生长过程
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 精密仪器与机械学
• 页码范围: 621-624
• 页数: 4页
• 分类号: TH7
• 字数: 1766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.2006.05.006

摘要

采用分子自组装成膜技术,在磁头表面制备了1H,1H,2H,2H-全氟癸烷基三乙氧基硅烷(FTE)自组装膜.使用时间飞行二次离子质谱仪(TOF-SIMS)、X射线光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪对FTE自组装膜进行了表征.XPS测得的FTE自组装膜C1s谱图中有分谱出现在287.905 eV位置,这证明FTE分子以C-O-Si键与磁头表面结合.通过分析TOF-SIMS测量的不同反应时间的膜厚和其对应的AFM表面形貌图发现,FTE自组装膜形成过程分为表面亚单层膜低覆盖、表面亚单层膜中等覆盖、团聚和聚结4个阶段.实验结果表明,控制反应时间可以在磁头表面制备超薄平整的FTE自组装膜,膜厚为(1.20±0.01)nm,表面粗糙度小于0.2nm.该层超薄膜使磁头对水的接触角增加到110.5°±0.1°,令磁头的疏水性能得到很大提高,进而较大幅度地提高了磁头表面的抗污染能力.