半金属Fe3O4薄膜的制备工艺探索

• 作者: 唐晓莉 张怀武 苏桦 钟智勇
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半金属材料 自旋电子材料 Fe3O4薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 741-746
• 页数: 6页
• 分类号: O482
• 字数: 2170字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.037

摘要

半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料,由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注.但由于铁元素存在多种价态的氧化物,使得制备单一成分的Fe3O4非常困难,因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究,探索了晶化温度对薄膜结构的影响,并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善,得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件.另外,通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应,因此有望将其应用到自旋电子器件中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张怀武	电子科技大学微电子与固体电子学院	294	2211	20.0	32.0
2	苏桦	电子科技大学微电子与固体电子学院	46	413	13.0	18.0
3	唐晓莉	电子科技大学微电子与固体电子学院	38	272	10.0	15.0
4	钟智勇	电子科技大学微电子与固体电子学院	56	359	10.0	15.0