TFA-MOD方法制备YBCO超导薄膜生长研究

• 作者: 刘兴钊 崔旭梅 李言荣 熊杰 田震 陶伯万
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: YBCO超导薄膜 临界电流密度 TFAMOD
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 228-230
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.02.019

摘要

TFA-MOD方法是制备YBCO涂层导体的最有应用前景的方法之一.本文采用TFA-MOD方法在LaAlO3单晶基片上生长YBCO薄膜并系统地研究了高温退火不同的停留时间对其影响.XRD分析表明退火时间较短时仍有明显的YBCO(00l)取向,但也有其它杂相峰存在,而延长退火时间可以使杂相峰消失而得到纯的且强度更高的YBCO(00l)取向.SEM分析表明未完全结晶的YBCO薄膜表面晶粒大小不一致,而且气孔较多.而结晶良好的YBCO薄膜表面平整致密,空洞较少.随着退火时间的增加YBCO颗粒尺寸在增大.但是,退火时间太长,会有大的空洞,甚至出现裂纹.超导电性能测试表明,随着退火时间的增加超导临界电流(Ic)在增加,但是退火时间达到60min后,Ic即达到最大值,表明60min就能使前驱膜在该实验条件下完全的结晶形成取向良好的YBCO薄膜,YBCO薄膜的生长速度达到0.16nm/s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
2	刘兴钊	电子科技大学微电子与固体电子学院	56	310	9.0	14.0
3	熊杰	电子科技大学微电子与固体电子学院	41	205	6.0	12.0
4	崔旭梅	电子科技大学微电子与固体电子学院	37	143	6.0	11.0
6	陶伯万	电子科技大学微电子与固体电子学院	39	165	5.0	10.0
7	田震	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	9	2.0	2.0