纳米晶Cu薄带的单辊法制备及结构分析

• 作者: 唐永建 王恩泽 罗江山 谢华 雷海乐 黎军
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: ICF靶材料 纳米晶Cu 择优取向 单辊法 结构分析
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 1639-1642
• 页数: 4页
• 分类号: TG113
• 字数: 2571字
• 语种: 中文

摘要

采用单辊法制备出纳米晶Cu薄带,利用X射线衍射对纳米晶Cu薄带的结构进行分析,并研究了工艺参数对结构的影响.实验发现:纳米晶Cu薄带的平均晶粒度为65.17～121.8 nm,辊轮转速越快,喷铸压力越小,保护气压越大,保护气体越冷,薄带的晶粒尺寸越小;纳米晶内部均存在晶格畸变和晶胞参数的涨落,说明采用单辊法制备纯金属薄带会在材料内部产生不同程度的晶格扭曲,Cu带处于非稳定状态;所有样品均发生(200) 晶面择优取向,原因可能与单辊法的快淬工艺有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐永建	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	281	2334	24.0	31.0
2	罗江山	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	67	469	11.0	16.0
3	谢华	西南科技大学材料科学与工程学院	2	22	2.0	2.0
7	王恩泽	西南科技大学材料科学与工程学院	44	275	9.0	15.0
8	雷海乐	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	29	149	7.0	10.0
9	黎军	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	15	135	6.0	11.0