外腔中半导体二极管激光阵列的高阶侧模锁定

• 作者: 严地勇 施鹏程 杨华 钱凌轩 陈建国 陈海波
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体二极管激光阵列 高阶侧模 外腔 相位锁定
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 539-541
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2271字
• 语种: 中文

摘要

理论分析了外腔较短情况下,宽条半导体二极管激光阵列(LDA)高阶侧模相位锁定的可能性,观察了包含主、旁瓣结构的多侧模远场光强分布.从实验记录结果可以看出,在旁瓣中出现了标志锁相的峰、谷结构,而且该结构的调制度明显高于主瓣中的峰、谷结构的调制度,结果表明:在外腔较短情况下,LDA高阶侧模相位锁定的现象是存在的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建国	四川大学电子信息学院	166	831	14.0	18.0
2	严地勇	中国工程物理研究院应用电子研究所	12	65	5.0	7.0
3	杨华	四川大学电子信息学院	29	195	7.0	13.0
4	陈海波	四川大学电子信息学院	9	34	4.0	5.0
5	施鹏程	四川大学电子信息学院	3	8	2.0	2.0
6	钱凌轩	四川大学电子信息学院	3	8	2.0	2.0