Si3N4团簇结构与性质的密度泛函理论研究

• 作者: 张材荣 张碧霞 李维学 许广济 陈玉红
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 团簇 结构与性质 密度泛函 氮化硅
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 694-698
• 页数: 5页
• 分类号: O561.1|O641
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2006.04.022

摘要

用杂化密度泛函B3LYP在6-31G*的水平上研究了Si3N4团簇可能结构的平衡几何构型和电子结构,得到了24个可能的异构体.Si3N4团簇的最稳定结构是由7个Si-N键和2个N-N键形成的3个四边形构成的三维结构.用自然键轨道方法(NBO)分析了成键性质,结果表明,S-N键中的S、N原子的净电荷较大,说明S-N键中Si、N原子的相互作用主要是电相互作用.最强的IR和Raman峰分别位于1033.40 cm-1,473.63 cm-1处.并且讨论了最稳定结构的极化率和超极化率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈玉红	兰州理工大学应用物理系	49	156	6.0	9.0
2	许广济	兰州理工大学有色金属新材料国家重点实验室	52	477	12.0	18.0
3	李维学	兰州理工大学应用物理系	68	287	10.0	12.0
4	张材荣	兰州理工大学应用物理系	52	221	9.0	12.0
8	张碧霞	陕西铁路机械工程学院建筑工程系	2	22	2.0	2.0