ATM基因在电离辐射诱导下对BRCA1、RAD51表达的影响

• 作者: 冯爽 周新文 宋建元 曹建平 朱巍 李冰燕 李翀 樊赛军 盛方军 罗加林
• 来源期刊: 中华放射医学与防护杂志
• 学科: 医学
• 关键词: ATM基因 BRCA1 RAD51 电离辐射 激光扫描共聚焦显微镜
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 334-339
• 页数: 6页
• 分类号: R3
• 字数: 3136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.0254-5098.2006.04.007

摘要

目的 探讨60Co γ射线照射前、后,BRCA1、RAD51蛋白在GM、ATM+AT、AT细胞中的 表达.方法 应用免疫荧光染色和激光扫描共聚焦显微镜,观察GM、ATM+-AT、AT细胞在0和10Gy60Co γ射线照射后,BRCA1、RAD51蛋白在上述细胞中的定位及表达并进行定量分析.结果 60Coγ射线照射前,BRCA1、RAD51蛋白在GM、ATM+-AT、AT细胞中仅有少量表达并且无共定位表达,其中在AT细胞中表达量最低;10 Gy 60Co γ射线照射后,BRCA1、RAD51在GM、ATM+-AT、AT细胞中表达量增高,其中GM、ATM+-AT细胞呈现共定位表达,AT细胞无共定位表达;GM、ATM+-AT细胞中BRCA1、RAD51蛋白表达量与AT细胞比较差异有统计学意义(P＜0.01);GM细胞中BRCA1、RAD51蛋白表达量与ATM+-AT细胞比较差异也有统计学意义(P＜0.01).结论 GM细胞和ATM+-AT细胞中存在ATM基因,ATM在射线等因素诱导下可以激活其下游基因BRCA1、RAD51,并且使这两种蛋白表达或表达量增加并且相互作用,共同完成辐射损伤后的细胞修复;外源性ATM转入正常GM细胞后,由于外源性的ATM基因不能完全弥补内源性的ATM突变基因的功能,对其下游基因Brca1"部分"磷酸化,表现为BRCA1、RAD51蛋白表达量均较GM细胞低.