钛酸锶铌基高介变阻器陶瓷的制备与表征

• 作者: 庄严 李兴教 李少平 袁润章 顾豪爽 鲍军波
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: SrTiO3变阻器陶瓷 铌掺杂 I-V特性 介电性质
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 437-440
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2226字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2006.04.020

摘要

采用铌掺杂的方法制备钛酸锶(STO)粉末,烧成钛酸锶基变阻器陶瓷.经电流-电压(I-V)特性和介电特性测试表明,多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能,其介电常数很大,有良好的介电温度系数和频率系数,介电损耗小,压敏电压低,非线性系数大.全面给出了压敏电阻的9项指标,并与文献中的数值进行了比较.εeff高达(4～9)×105,具有良好的介电温度系数(|αs|＜0.3%)、频率系数(fr＜12%)和电压温度系数(|k|=0.2%);介电损耗小(tan δ＜1%);非线性系数大(α=4～10);电流密度为1 mA时的场强(E1 mA)值很低(0.3～2.9 V/mm);电压系数小于10%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁润章	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	170	2200	24.0	36.0
2	顾豪爽	湖北大学物电学院	86	386	10.0	14.0
3	李兴教	华中科技大学电子科学与技术系	11	64	4.0	7.0
4	鲍军波	华中科技大学电子科学与技术系	8	58	4.0	7.0
5	庄严		5	57	4.0	5.0