大功率半导体激光器热弛豫时间的测量

• 作者: 方祖捷 皮浩洋 瞿荣辉 程灿 辛国锋
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 半导体激光器 时间分辨谱 热弛豫时间
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 测量技术
• 页码范围: 1671-1674
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 2704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2006.12.018

摘要

根据脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高而发生红移的原理,提出了一种测试半导体激光器热弛豫时间的新方法--利用调节取样积分器(Boxcar)取样门,测量光信号脉冲内不同时刻的时间分辨光谱.采用此方法对TO封装和厘米-靶条(cm-Bar)阵列的AlGaAs/GaAs半导体激光器的动态热特性进行了测试,得到其热弛豫时间分别为66 μs和96 μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	瞿荣辉	中国科学院上海光学精密机械研究所	117	1459	21.0	34.0
2	方祖捷	中国科学院上海光学精密机械研究所	158	2256	27.0	39.0
3	辛国锋	中国科学院上海光学精密机械研究所	21	178	6.0	13.0
4	皮浩洋	中国科学院上海光学精密机械研究所	15	48	4.0	6.0
5	程灿	中国科学院上海光学精密机械研究所	5	50	3.0	5.0