可靠性基础、质量管理与控制

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页数: 1页
• 分类号: TP311.5

摘要

<正>IELDVD060:9322:29630-279 0600066 在高级复氧化物CMOS工艺中定标p-MOS场效应晶体管STI感应置信度的影响=The impact of STI induced reliabilities for scaled p-MOSFET in an advanced multiple oxide CMOS technology[会,英]／Chung,S． S．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium on the．-279-282(A)