一种新的β二酮铱MOCVD前驱体的制备及成膜性能

• 作者: 张秋禹 范晓东 阎鑫
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 前驱体 铱薄膜 MOCVD
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 1129-1131
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.3
• 字数: 2535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.07.028

摘要

从铱盐和配体2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮(thd)出发合成了一种新的β二酮前驱体Ir(thd)3,通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱等手段对合成的前驱体进行了结构表征.热重分析表明,当温度升到290℃,前驱体基本挥发完全.使用合成的前驱体通过MOCVD沉积制备铱薄膜,利用XRD和AFM分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征.结果表明,所得到的薄膜的物相为铱晶相,无其它的杂质峰存在,薄膜表面连续、致密.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张秋禹		211	2476	26.0	40.0
2	范晓东		195	2411	28.0	35.0
3	阎鑫		17	515	11.0	17.0