MOSFET调制器的实验研究

• 作者: 何宁 冯德仁 李一丁 王相綦
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 调制器 复杂可编程逻辑器件 感应叠加 剩余电流
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 加速器技术
• 页码范围: 1569-1572
• 页数: 4页
• 分类号: TL5
• 字数: 1685字
• 语种: 中文

摘要

介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究.基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度.利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压.实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30 Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80 ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30 Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王相綦	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	43	281	8.0	15.0
2	冯德仁	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	11	93	6.0	9.0
3	何宁	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	6	52	4.0	6.0
4	李一丁	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	4	27	2.0	4.0