孔隙率及晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理研究

• 作者: 曾涛 杨洪 梁瑞虹 毛朝梁 董显林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔PZT陶瓷 静水压优值 压电性能 介电性能
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3073-3079
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.072

摘要

采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷,并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔 PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明:孔隙率的增加降低了多孔 PZT陶瓷的介电常数,提高了静水压优值,并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测;晶粒尺寸增加,多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加,并可用Okazaaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷,当烧结温度为1300℃时,孔隙率为34%,d33达312 pC/N接近致密PZT(350pC/N),其静水压优值为致密PZT的十几倍;介电常数和压电系数比具有相当优值的PZT聚合物复合材料高很多,在具有高灵敏度的同时能更有效地抗外界干扰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洪	中国科学院上海硅酸盐研究所	9	90	5.0	9.0
2	董显林	中国科学院上海硅酸盐研究所	26	211	9.0	14.0
3	毛朝梁	中国科学院上海硅酸盐研究所	4	71	3.0	4.0
4	曾涛	中国科学院上海硅酸盐研究所	8	77	5.0	8.0
5	梁瑞虹	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	71	3.0	6.0