Gd和Sn掺杂BaTiO3陶瓷的介电性能

• 作者: 常方高 李涛 荆西平 葛永霞 袁延忠
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 掺杂 介电常数 介电损耗 居里点
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1389-1391
• 页数: 3页
• 分类号: O656.32
• 字数: 2379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.09.011

摘要

通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究.结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加.其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常方高	河南师范大学物理与信息工程学院	30	80	5.0	7.0
2	袁延忠	河南师范大学物理与信息工程学院	5	18	3.0	4.0
3	李涛	河南师范大学物理与信息工程学院	10	28	3.0	5.0
4	葛永霞	河南师范大学物理与信息工程学院	5	10	3.0	3.0
5	荆西平		1	4	1.0	1.0