多节锂电池过电压保护芯片的设计

• 作者: 刘冬生 李泳生 杨秋平 邹雪城
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 二级保护 过电压检测 带隙基准 磁滞 降压电路 电流源
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.02.024

摘要

文章提出了一种基于BiCOMS工艺的多节锂电池过电压保护芯片的设计.阐述了此芯片的系统结构,对芯片的关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,最终给出芯片的测试结果.此芯片具有过电压探测时间可设计、低功耗、过电压检测精度高等特点,可用于2节、3节或4节电池组的二级保护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	刘冬生	华中科技大学电子科学与技术系	24	339	9.0	18.0
3	杨秋平	华中科技大学电子科学与技术系	4	20	3.0	4.0
4	李泳生	华中科技大学电子科学与技术系	4	108	4.0	4.0