磁头/磁盘表面保护膜及抗吸附分子膜研究

• 作者: 张晨辉 等 钟敏 马天宝
• 来源期刊: 数字制造科学
• 关键词: 超薄膜 DLC薄膜 FCVA 分子动力学模拟 反应键序经验势函数 最小膜厚极限 自组装膜 FATS
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 字数: 26110字
• 语种: 中文

摘要

在中国国家自然科学基金重大项目《先进电子制造中的重要科学技术问题研究》资助下，针对2nm厚度的DLC薄膜的制备和磁头、磁盘间的吸附等问题，探索“磁头、磁盘表面润滑规律和超薄保护膜的生长机理及技术”，目标是寻找磁头、磁盘表面超薄DLC薄膜新的制备方法和制备工艺，发现超薄DLC保护膜的生长机理和生长极限，开发磁头表面抗吸附分子膜的制备技术。报告研究所取得的体系化理论成果。 为了制备厚度为2nm的超薄DLC薄膜，使用FCVA技术代替磁控溅射和CVD技术。通过优化制备参数，制备出厚度为2nm，表面粗糙度为0.128nm，并且连续均匀的DLC薄膜。探索基体形貌对薄膜生长模式的影响规律。发现在脉冲偏压幅值-100V、占空比20%条件下制备的薄膜性能最优