基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用

• 作者: 陈科球 黄钊洪
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化铟 磁阻元件 磁阻效应 电流传感器
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 物理量传感器
• 页码范围: 200-202
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.9
• 字数: 1313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.064

摘要

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS).为了检测微弱电流,此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的,设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路.当处理电路的电压增益为50～10000倍、,待测的50 Hz交流电流在50 mA～12 A时,输出电压在0.3～3.5 V变化,并且两者之间有比较好的线性关系,标准偏差小于0.02,完全能满足工业上对电流的监测作用,从而保护因异常情况停止运转的马达.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄钊洪		3	8	2.0	2.0
2	陈科球		1	6	1.0	1.0