Fe-Mn-Si记忆合金中应力诱发γ→εM的相变机制

• 作者: 乔志霞 刘永长 宁保群 李宗民 王东爱
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: Fe-Mn-Si记忆合金 生长机制 透射电镜 应力诱发εM
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 667-670
• 页数: 4页
• 分类号: TG139.6|TB381
• 字数: 2508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2007.05.004

摘要

通过高分辨透射电镜观察得知,Fe-25%Mn-4.5%Si-1%Cr-2%Ni形状记忆合金中母相γ的亚结构主要是平行分布的、不同程度重叠的层错.母相的这一亚结构特征决定随应力诱发相变进行的程度不同,可分别形成单片状和多层状两类不同形态的ε马氏体(εM),这由透射电镜观察得到了证实.这两类不同形态εM的逆相变特征亦不相同,单片状εM在逆相变时能保持较好的晶体学可逆性,有利于形状记忆效应,而多层状εM由于受到层间界面的制约,逆相变后残留下较多晶体缺陷,对形状恢复不利.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁保群	天津大学材料科学与工程学院	18	244	8.0	15.0
2	刘永长	天津大学材料科学与工程学院	45	429	11.0	19.0
3	乔志霞	天津大学材料科学与工程学院	8	69	5.0	8.0
5	王东爱	天津商学院机械工程学院	10	119	6.0	10.0