科学新闻:利用第一原理计算FE-MGO-FE三层结构的隧道磁阻效应

• 来源期刊: 科学观察
• 学科: 物理学
• 关键词: 三层结构 研究组 磁阻效应 理论计算 第一原理计算 磁阻比 磁隧道结
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 62
• 页数: 1页
• 分类号: O482.521
• 语种: 中文

摘要

寻找具有良好隧道磁阻效应的磁隧道结是制造性能优良磁随机存储器的关键.科学家发现基于氧化镁绝缘层的磁隧道结在常温下具有非常巨大的隧道磁阻,但是计算结果与实验数据一直符合得不好.加拿大McGill大学郭鸿研究组与中科院物理研究所胡亦斌、夏轲合作,运用郭鸿研究组开发的第一性原理输运计算方法和程序,对Fe-MgO-Fe三层结构中基于氧化镁绝缘层的磁隧道结在理论上进行了研究.研究结果表明,基于氧化镁绝缘层的磁隧道结确实