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摘要:
以2,4-乙酰丙酮化镁为前驱体,衬底温度为480℃,采用MOCVD工艺,分别在玻璃、氧化铝陶瓷、单晶Si(111)和Si(100)衬底上生长了取向生长的氧化镁薄膜.X射线衍射结果表明,无论是采用玻璃、氧化铝、单晶Si(111)和Si(100)衬底,氧化镁薄膜都是沿着(100)晶面取向生长.通过扫描电镜观察得到,在单晶Si(100)衬底上生长的氧化镁薄膜表面平整致密.模拟卢瑟福背散射结果显示,沉积时间超过70min时,界面处发生硅向氧化镁层少量扩散现象.
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文献信息
篇名 大气开放式MOCVD氧化镁薄膜的生长及表征
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 氧化镁薄膜 大气开放式金属有机化学气相沉积 X射线衍射 扩散
年,卷(期) 2007,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1173-1177,1186
页数 6页 分类号 TN304
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.041
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王树彬 北京航空航天大学材料科学与工程学院 18 160 7.0 12.0
2 马学锋 北京航空航天大学材料科学与工程学院 2 3 1.0 1.0
3 韩夏 北京航空航天大学材料科学与工程学院 1 2 1.0 1.0
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2016(2)
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研究主题发展历程
节点文献
氧化镁薄膜
大气开放式金属有机化学气相沉积
X射线衍射
扩散
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
论文1v1指导