基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征

• 作者: 俞大鹏 尤力平 张小平 马圆
• 来源期刊: 电子显微学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶MOSFET内存 扫描透射显微方法 量子点成分分布
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 110-113
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1|TG115.21+5.3|TN16
• 字数: 1639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2007.02.005

摘要

通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点.采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞大鹏	北京大学物理学院北京大学电子显微镜实验室	23	162	6.0	12.0
2	张小平	北京大学物理学院北京大学电子显微镜实验室	8	57	4.0	7.0
3	尤力平	北京大学物理学院北京大学电子显微镜实验室	15	90	5.0	9.0
4	马圆	北京大学物理学院北京大学电子显微镜实验室	1	2	1.0	1.0