SiC宽禁带功率器件在雷达发射机中的应用分析

• 作者: 余振坤 郑新
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 碳化硅功率器件 雷达发射机
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 61-65
• 页数: 5页
• 分类号: TN83
• 字数: 5857字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-6122.2007.03.015

摘要

介绍了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与Si和GaAs半导体相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有显著优点.SiC宽禁带功率器件,尤其在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性和总效率等方面具有卓越的性能,在雷达发射机中有良好的应用前景.文章还详细论述了现代雷达对SiC功率器件的具体指标要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑新		19	355	9.0	18.0
2	余振坤		10	122	6.0	10.0