电化学沉积制备一维ZnSe纳米材料

• 作者: 曹胜男 王光灿 郭志超
• 来源期刊: 云南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 模板 直流电沉积 纳米线
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 350-353
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4
• 字数: 1416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8513.2007.04.018

摘要

在草酸溶液中,采用二次阳极氧化法得到了多孔阳极氧化铝膜(AAO).以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积,在孔内组装ZnSe半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均匀,直径约为60 nm,长度约为0.5μm的纳米线,与模板的孔径一致.在制备过程中,无需对模板进行去除阻挡层,喷金或预镀金属等处理过程,是直接在纳米孔内电沉积,形成半导体纳米线阵列.此方法工艺简单,操作方便,容易获得半导体的一维纳米材料.SPM、TEM测试结果表明,纳米线为六方晶型结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光灿	云南大学物理科学技术学院	24	210	7.0	14.0
2	郭志超	云南大学物理科学技术学院	6	18	3.0	3.0
3	曹胜男		1	3	1.0	1.0