质子辐照Kapton/Al的蒙特卡罗模拟

• 作者: 何世禹 李春东 李瑞琦 杨德庄
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: 质子辐照 Kapton/Al 蒙特卡罗 能量损失 射程
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 计算材料学
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: V25
• 字数: 3318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2007.03.004

摘要

采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布.模拟结果表明:入射能量在10～300 keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80 keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何世禹	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程重点实验室	122	1160	17.0	24.0
2	李春东	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程重点实验室	19	89	6.0	8.0
3	杨德庄	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程重点实验室	96	1343	20.0	30.0
4	李瑞琦	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程重点实验室	15	121	7.0	10.0