MOS电阻阵的非均匀性测量及补偿方法研究

• 作者: 孙力 张凯 阎杰 黄勇
• 来源期刊: 西北工业大学学报
• 学科: 航空航天
• 关键词: MOS电阻阵 非均匀性补偿 红外场景生成器
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 108-112
• 页数: 5页
• 分类号: V448.25
• 字数: 3338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2758.2007.01.023

摘要

红外MOS电阻阵列是现代红外成像仿真系统中的关键元件.由于MOS电阻阵具有较强的热非均匀性,因此在进行红外仿真时必须对其进行实时补偿.文中对基于MOS电阻阵的关键技术--MOS电阻阵帧元非均匀性补偿技术进行深入探讨和研究,并提出了相应的解决方案:通过离线测试,实测得到每一帧元的电压温度特性曲线,建立电压温度补偿数据表格,使得驱动MOS热电阻面阵的灰度数据与表格数据相匹配,从而实现对MOS电阻阵的修正.实验证明,文中提出的方法能够很好地解决对MOS电阻阵非均匀特性进行补偿的问题,并已在基于MOS电阻阵的红外场景生成器中应用,取得了满意的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张凯	西北工业大学航天学院	83	303	10.0	13.0
2	孙力	西北工业大学航天学院	42	424	12.0	18.0
3	阎杰	西北工业大学航天学院	37	314	12.0	15.0
4	黄勇	西北工业大学航天学院	34	236	10.0	13.0