GaN基场效应器件Monte Carlo模拟

• 作者: 周春红
• 来源期刊: 南通大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 蒙特卡罗模拟 AlGaN/GaN异质结 高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN472+.4
• 字数: 2419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2340.2007.04.007

摘要

基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景.文章用自洽-耦合蒙特卡罗(Monte Carlo)方法对AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管作了模拟,给出了器件直流特性的Monte Carlo模拟结果,包括器件的粒子分布及器件的等势线分布,最后给出器件在不同栅电压下的直流输出特性.文章的模拟结果对研究GaN基场效应器件有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周春红	中国药科大学物理教研室	3	5	1.0	2.0