聚噻吩修饰纳米结构TiO2膜电极光电性能研究

• 作者: 商艳平 王伟 郝彦忠
• 来源期刊: 河北科技大学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 纳米结构TiO2/PTh电极 光电化学 聚噻吩
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 数理科学与化学
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: O644
• 字数: 2914字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1542.2007.01.004

摘要

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了聚噻吩(PTh)膜和纳米结构TiO2/聚噻吩(ITO/TiO2/PTh)复合膜的光电转换性质.结果表明,PTh膜的禁带宽度为2.02eV,价带位置为-5.86 eV,导带位置为-3.84 eV.在ITO/TiO2/PTh复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离,PTh修饰ITO/TiO2电板可使光电流产生波长发生明显红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.在实验条件下,单色光的光电转换效率最高可达到13%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	河北科技大学理学院	59	148	7.0	10.0
2	郝彦忠	河北科技大学理学院	77	598	13.0	19.0