纳米结构TiO2/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物复合膜电极光电化学性能

• 作者: 武文俊 郝彦忠
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: TiO2/CTCMT复合膜电极 光电化学 导电聚合物
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1098-1101
• 页数: 4页
• 分类号: O646
• 字数: 2812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2005.06.018

摘要

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCMT)膜电极和ITO/TiO2/CTCMT复合膜电极的光电转换性质. 结果表明, CTCMT膜为p型半导体, 禁带宽度为2.36 eV, 价带位置为-5.52 eV. 在ITO/TiO2/CTCMT复合膜电极中存在p-n异质结, 在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离. CTCMT膜修饰ITO/TiO2电极可使光电流增强, 光电流起始波长红移至600 nm以上, 使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝彦忠	河北科技大学理学院	77	598	13.0	19.0
5	武文俊	河北科技大学化学与制药工程学院	6	54	5.0	6.0