聚3-氯噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究

• 作者: 殷志刚 郝彦忠
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 聚3-氯噻吩 CdSe/P3CT复合膜电极 光电化学
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1117-1121
• 页数: 5页
• 分类号: O644
• 字数: 3277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2007.06.022

摘要

采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒. 纳米棒直径约为100 nm, 长度约为300 nm. 当外加电极电势为-0.6 V 时, 经聚3-氯噻吩[Poly(3-chlorothiophene), P3CT]修饰的CdSe纳米棒具有最大光电流, 并且CdSe/P3CT复合膜电极最高光电转换效率(IPCE)为13.5%, 低于CdSe纳米棒膜电极17.7%的最高IPCE. CdSe/P3CT复合膜电极中存在p-n异质结, p-n异质结的存在使得CdSe/P3CT复合膜电极在长波区(>410 nm)的IPCE整体高于CdSe纳米棒薄膜电极的IPCE.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝彦忠	河北科技大学理学院	77	598	13.0	19.0
2	殷志刚	河北科技大学化学与制药工程学院	5	24	3.0	4.0