CdSe 纳米棒阵列的制备及其光电化学性能

• 作者: 丁娟 凌宏志 孙晶 张鑫 李云辉 杨海滨 温祖旺 王硕 田乐成 绍晶 董群
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CdSe 纳米棒 电化学沉积 光电化学性能
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 878-886
• 页数: 9页
• 分类号: TB383
• 字数: 3247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2016.04.36

摘要

在室温条件下,用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)基底表面生长 CdSe 纳米棒阵列,并利用 X 射线衍射(XRD)、能量色散 X 射线(EDX)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)表征 CdSe 纳米棒阵列的晶体结构和表面形貌,考察其光电化学性能；在标准三电极体系下,测试 CdSe 纳米棒阵列电极的光电化学性能.结果表明：样品沿[001]方向择优生长,并具有明显的光响应特性；在光强为100 mW/cm2的模拟太阳光照射下,该电极光电流密度 J sc =2.93 mA/cm2,开路电压 V oc =1.16 V,填充因子FF=0.278,该电池的光电转化效率η=0.947%.