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富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
作者:
章从福
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东京工业大学
BIT
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技术开发
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富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
来源期刊
半导体信息
学科
工学
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东京工业大学
BIT
FERAM
nm
技术开发
数据存储容量
FUJITSU
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技术制造
氧元素
富士通微电子
年,卷(期)
2007,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
35-35
页数
1页
分类号
TN304
字数
语种
DOI
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参考文献(0)
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引证文献(0)
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节点文献
东京工业大学
BIT
FERAM
nm
技术开发
数据存储容量
FUJITSU
随机存储器
技术制造
氧元素
富士通微电子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
邮发代号:
创刊时间:
1990
语种:
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
总被引数(次)
664
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