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文献资料法
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 东京工业大学 BIT FERAM nm 技术开发 数据存储容量 FUJITSU 随机存储器 技术制造 氧元素 富士通微电子
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 35-35
页数 1页 分类号 TN304
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
引文网络
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节点文献
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2007(0)
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研究主题发展历程
节点文献
东京工业大学
BIT
FERAM
nm
技术开发
数据存储容量
FUJITSU
随机存储器
技术制造
氧元素
富士通微电子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
总被引数(次)
664
论文1v1指导