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1996年,Slonczewski和Berger理论预测出,当自旋极化电流穿过一层纳米尺寸(<100nm)的铁磁体薄膜或一个磁性纳米柱时,由于所产生的自旋角动量转移矩(简称STT),电流可以在铁磁膜中产生磁激发甚至引起铁磁膜磁化方向的翻转。为了克服铁磁体中磁阻尼矩,外加电流所需要的临界电流密度一般都在10~7A/cm~2以上。近年来,对这种电流诱导磁化翻转(简称CIMS)行为的研究引起人们广泛的关注,因为CIMS技术在磁随机存储器中的使用不仅可以降低写电流能量损耗,从而大幅度提高存储密度,而且还可以大大简化磁随机存储器的结构。自1998年以来,人们已经先后在铁磁薄膜、自旋阀和铁磁性隧道结中观测到STT效应。CIMS所需要的临界电流很高,很容易破坏磁性纳米结构,因此业界一直也在致力于降低CIMS临界电流。目前CIMS的临界电流密度已经被降低到10~6A/cm~2左右。这就为STT效应在铁磁性隧道结中的应用提供了可能。STT效应还会产生持久磁进动现象,伴随着自旋波的激发,铁磁体会释放出微波。这种STT诱导微波行为可能会带来新型非机械型纳米微波器件。本报告主要综述近几年来国际上在STT研究方面的重要结果。
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文献信息
篇名 自旋角动量转移矩效应
来源期刊 功能材料信息 学科 工学
关键词 STT效应 CIMS技术 磁进动现象
年,卷(期) gnclxx_2007,(5) 所属期刊栏目
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页数 1页 分类号 TB381
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1 姜勇 北京科技大学材料物理与化学系 32 119 7.0 9.0
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研究主题发展历程
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STT效应
CIMS技术
磁进动现象
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
功能材料信息
双月刊
32开
重庆市北碚区蔡家岗镇嘉德大道8号
2004
chi
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