钛膜中氢同位素的深度分布

• 作者: 丁伟 施立群 龙兴贵
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氢同位素 深度分布 弹性反冲 质子背散射
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 754-758
• 页数: 5页
• 分类号: TL5|TL8
• 字数: 2967字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.09.008

摘要

为评估氢同位素效应对其在贮氢金属中深度分布的影响,对H/D-Ti、D/T-Ti、D-Ti及T-Ti样品用7.4MeV的4He离子束进行30°方向弹性反冲(ERD)分析.由H/D-Ti样品ERD能谱获得其1.7μm深度的D分布,结合D-Ti样品ERD能谱的～3 μm深度的H、D分布进行了模拟分析.结果表明,H、D含量均随深度增加,其分布曲线基本一致,说明在Ti中H、D的分布互不干涉,样品制备过程中其同位素效应不明显.用同样的方法对DT-Ti样品中的D、T分布进行了模拟分析.结果表明,在1.7 μm深度内D、T的分布基本均匀,但由于D、T的能谱过于靠近,其解谱误差较大.用3.0 MeV的质子对HD-Ti和D-Ti进行的质子背散射(PBS)分析表明,两样品中的D分布趋势一致,证明了Ti中H、D的分布互不干涉,样品制备过程其同位素效应不明显的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙兴贵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	123	496	10.0	16.0
2	丁伟	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	16	45	5.0	6.0
3	施立群	复旦大学现代物理研究所	21	73	5.0	8.0