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摘要:
在有效质量近似下,垂直方向采用无限深势阱限制势,在x-y平面上,量子点内采用抛物势近似,在量子点边界处采用与实际情况更接近的无限深势阱.在中心杂质电荷为ηe时,利用波函数近似,得到基态和低激发态的能级,与x-y平面均采用抛物势时得到的能级进行了比较.计算发现在量子点真实半径比较小时,电子的基态和低激发态受其影响很大,而相应的能级随量子点的半径逐步增大.在量子点半径大于5倍有效玻尔半径时,能级受其影响已经变得很弱.并且,随着磁场的变化,量子点半径对基态和第一激发态的能级差的影响也很大.最后我们计算了杂质电子的基态束缚能并讨论了声子对其影响.
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文献信息
篇名 无限深势阱下杂质量子点的能级计算
来源期刊 量子光学学报 学科 物理学
关键词 量子点 磁场 无限深势阱 束缚能 电声耦合
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 量子点
研究方向 页码范围 66-70
页数 5页 分类号 O431
字数 3805字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-6654.2007.01.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵铧 重庆大学物理系和凝聚态物理研究所 17 53 5.0 6.0
2 熊稳 重庆大学物理系和凝聚态物理研究所 3 18 2.0 3.0
3 朱孟兆 重庆大学物理系和凝聚态物理研究所 12 236 8.0 12.0
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量子光学学报
季刊
1007-6654
14-1187/O4
大16开
太原市山西大学光电研究所
1995
chi
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