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摘要:
为了研究交流脉冲占空比和频率对微弧氧化膜的影响.采用恒电流方式对TC4钛合金进行微弧氧化,用扫描电镜和X衍射仪分析膜层的表面形貌及相结构.结果表明:随占空比的增大,微弧氧化膜层的生长速率增大,金红石相TiO2相对含量增加;随频率的增大,微弧氧化膜层的生长速率减小,表面趋于平整,锐钛矿相和金红石相TiO2相对含量与处理频率无关.
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文献信息
篇名 交流脉冲参数对TC4钛合金微弧氧化陶瓷膜的影响
来源期刊 表面技术 学科 工学
关键词 微弧氧化 钛合金 占空比 频率 氧化陶瓷膜
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目 工艺研究
研究方向 页码范围 43-45,66
页数 4页 分类号 TG174.451
字数 1593字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-3660.2007.03.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵晴 102 1087 20.0 27.0
2 章志友 7 95 5.0 7.0
3 陈宁 9 106 6.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
微弧氧化
钛合金
占空比
频率
氧化陶瓷膜
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
表面技术
月刊
1001-3660
50-1083/TG
16开
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
78-31
1972
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
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