磁致塑性的位错机理

• 作者: 刘兆龙 胡海云 范天佑
• 来源期刊: 北京理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 佩-纳力 位错 磁塑效应
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 工程力学
• 页码范围: 113-115
• 页数: 3页
• 分类号: O469
• 字数: 1990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0645.2007.02.005

摘要

采用佩尔斯-纳巴罗的部分离散位错模型,计算了磁场中直刃型位错的错排能,推导出在静磁场中位错滑移所需克服晶体点阵阻力的最大值--佩-纳力,给出了佩-纳力与磁场强度、材料性质间的关系.结果表明:若材料中的位错具有顺磁性,佩-纳力的值比无磁场时的值减少,位错更容易运动,材料塑性增强.该结论与已有的磁塑效应实验中观察到的现象一致.当磁场为0时,所得佩-纳力的值可退化为已知的原佩-纳力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范天佑	北京理工大学理学院	59	306	11.0	14.0
2	刘兆龙	北京理工大学理学院	13	80	6.0	8.0
3	胡海云	北京理工大学理学院	33	152	7.0	11.0