不同熔体配比InP材料中的缺陷研究

• 作者: 孙聂枫 李昌青 齐志华
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 配比 缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 354-359
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 5281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2007.04.006

摘要

采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法(LEC)分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料.对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试.结果表明富磷熔体条件下具有较高浓度的VInH4复合体,富铟熔体条件VInH4的浓度最低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李昌青	天津大学电子信息工程学院	17	172	6.0	13.0
2	齐志华	中国电子科技集团公司第13研究所专用集成电路国家重点实验室	4	10	2.0	3.0
3	孙聂枫	中国电子科技集团公司第13研究所专用集成电路国家重点实验室	11	39	4.0	5.0