金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长

• 作者: 吴仁兵 吴玲玲 杨光义 林晶 潘颐 翟蕊 陈建军 高明霞
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅单晶 液相法 晶体生长 过渡族金属硅化物 碳化硅晶须
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1042-1046
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 4277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2007.06.033

摘要

以过渡族金属硅化物为溶剂,采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征,利用X射线衍射仪(XRD)对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征,并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明,Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶,FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须,而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后,仅有石墨相析出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建军	浙江大学材料与化学工程学院	186	4348	31.0	64.0
2	杨光义	浙江大学材料与化学工程学院	8	66	5.0	8.0
3	吴玲玲	浙江大学材料与化学工程学院	29	201	8.0	13.0
4	高明霞	浙江大学材料与化学工程学院	29	293	9.0	16.0
5	吴仁兵	浙江大学材料与化学工程学院	6	35	3.0	5.0
6	林晶	浙江大学材料与化学工程学院	5	42	4.0	5.0
7	翟蕊	浙江大学材料与化学工程学院	4	34	3.0	4.0
8	潘颐		1	0	0.0	0.0