高岭石/N-氧化吡啶插层复合物的制备及其机理分析

• 作者: 张先如 徐政 顾晓文
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高岭石 N-氧化吡啶 插层机理
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 253-257
• 页数: 5页
• 分类号: TB332.TP273
• 字数: 3766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2007.02.023

摘要

以高岭石/DMSO插层复合物作为前驱体,在微波辐射下成功制备了高岭石/N-氧化吡啶插层复合物,采用X-射线衍射、FT-IR光谱等技术对产物进行表征.实验结果表明:在高岭石/N-氧化吡啶插层复合物中,高岭石的层间距扩张到1.251nm,插层率达到了72.2%.在此基础上,进一步分析N-氧化吡啶插层高岭石的作用机理,即N-氧化吡啶分子中的N-O基团与高岭石的内表面羟基形成了氢键,N-氧化吡啶分子以单分子层形式近似垂直排列于高岭石层间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政	同济大学材料科学与工程学院	160	2312	24.0	39.0
2	顾晓文	同济大学材料科学与工程学院	3	6	2.0	2.0
3	张先如	同济大学材料科学与工程学院	10	247	6.0	10.0