不同形貌氮化硅纳米结构的制备与表征

• 作者: 曹传宝 杜红莉 籍凤秋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氮化硅 VLS和VS生长机理 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1011-1016
• 页数: 6页
• 分类号: O613
• 字数: 1590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.011

摘要

分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带.产物经X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等表征手段进行了分析.FTIR图谱表明它们在800～1100cm-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带.它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用.另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移(蓝移约4nm),这可能和晶须尺寸的少许差别有关.至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因,可能是纳米带的比表面积相对较大,有利于悬键的形成,从而导致材料结构内缺陷的浓度较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹传宝	北京理工大学材料科学研究中心	65	754	16.0	23.0
2	籍凤秋	石家庄铁道学院材料科学与工程学院	31	235	7.0	15.0
3	杜红莉	北京理工大学材料科学研究中心	2	2	1.0	1.0