O2在LiH晶体表面的吸附成键研究

• 作者: 王明玺 蔡军 薛卫东
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: LiH 化学吸附 DOS图 成键
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 626-629
• 页数: 4页
• 分类号: O552.3+3
• 字数: 3193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2007.05.023

摘要

用CASTEP软件包中的GGA/RPBE基组,采用平面波超软赝势方法,计算了O2分子在LiH表面的最佳吸附方式为穴位垂直吸附.由吸附前后的态密度(DOS)图可知,成键主要由LiH的s、p轨道和O的2p轨道杂化而成,偶合构成σ键;成键峰重叠性较强,且峰增宽.从计算的布居数看,Li原子与吸附的O原子之间有0.24个电子转移,吸附属于离子型;其吸附能为-48.3 kJ/mol,为化学吸附.结果显示,氧气的氧化腐蚀没有形成新的氧化物Li2O.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡军	四川师范大学化学与材料科学学院	10	44	4.0	6.0
2	王明玺	四川师范大学化学与材料科学学院	6	32	3.0	5.0
3	薛卫东	四川师范大学化学与材料科学学院	27	210	9.0	13.0