(SiC)P表面化学修饰及其热力学机理分析

• 作者: 宿辉 蔡伟
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: (SiC)p 表面修饰 化学镀 热力学
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 683-685,689
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75+8.12
• 字数: 3023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2007.05.008

摘要

利用简单的化学镀技术,通过改进前处理工艺,实现了(SiC)p的表面化学改性.通过对反应条件的分析比较,确定了最佳温度为40℃、pH值9.0;采用SEM、EDS和XRD,对修饰前、后(SiC)p的物相、晶形、成分等进行了研究,获得了镀层连续,无光滑(SiC)p裸露的较高质量的改性碳化硅复合粉体[简写为(Ni/SiC)p].同时对(SiC)p表面改性的热力学机理给出初步分析,并从理论上验证了反应条件.