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摘要:
采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳电池吸收层材料CuInSe2薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线分析技术等分析手段对薄膜进行了表征.结果表明:两种方法制备的薄膜形貌都比较致密均匀,晶粒直径分别约1.5 μm和约1 μm.组分分析表明所制薄膜均为富铜CIS.硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构;而叠层法制备的薄膜含有少量杂相,如β-In2Se3等.因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收层材料.
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文献信息
篇名 两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 铜铟硒 薄膜太阳电池 真空蒸发法 硒化法
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 528-530
页数 3页 分类号 TM615
字数 1789字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.04.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐环 上海大学材料科学与工程学院 4 42 3.0 4.0
2 史伟民 上海大学材料科学与工程学院 56 313 10.0 14.0
3 林飞燕 上海大学材料科学与工程学院 3 37 2.0 3.0
4 秦娟 上海大学材料科学与工程学院 6 11 2.0 3.0
5 魏光普 上海大学材料科学与工程学院 14 115 5.0 10.0
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铜铟硒
薄膜太阳电池
真空蒸发法
硒化法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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