基于双半导体光放大器的读/写分别控制的新型全光缓存器

• 作者: 吴重庆 张立军 李亚捷
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光通信 全光缓存器 3×3平行排列耦合器 半导体光放大器 交叉相位调制
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 光纤光学与光通信
• 页码范围: 1945-1949
• 页数: 5页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 2377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2007.11.006

摘要

全光缓存器能够在光域内对数据包进行缓存,解决数据包在节点的冲突.提出了一种新型可擦写的全光缓存器,该缓存器以半导体光放大器(SOA)为非线性相移器件,利用信号光和控制光在半导体光放大器中的交叉相位调制实现信号在光域内的"写入"和"读出".在注入信号峰值功率相同的条件下,双半导体光放大器结构的采用还可以对信号光实现功率补偿,比利用单个半导体光放大器进行"写入/读出"控制延长了缓存时间,并能有效克服在数据包"写入"缓存器时造成的输出端口处信号光的泄漏.该缓存器顺利实现了2.5 Gb/s数据包的多圈缓存.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李亚捷	北京交通大学理学院光信息科学与技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	11	99	7.0	9.0
2	吴重庆	北京交通大学理学院光信息科学与技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	116	592	12.0	19.0
3	张立军	北京交通大学理学院光信息科学与技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	16	224	9.0	14.0