基底沉积温度对WO3薄膜电致变色特性的影响

• 作者: 刁训刚 张金伟 王怀义 舒远杰 黄俊
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: 低温 三氧化钨 电致变色 非晶态
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: V4
• 字数: 2347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2007.05.011

摘要

分别在室温和基片温度低于223 K的条件下,采用直流反应磁控溅射法制备WO3薄膜.对两种条件下制备的薄膜晶体结构、透射光谱特性及电致变色性能进行对比分析.结果表明,低温沉积有利于WO3薄膜非晶化,使得Li+的抽取更加容易,进而显示出良好的变色性能.低温制备的WO3薄膜在可见光400～800 nm范围内着色态和漂白态平均透光率差值达70%以上,在690 nm处的着色系数达到了48.7 cm2/C,具有良好的变色效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	舒远杰	中国工程物理研究院化工材料研究所	129	1101	17.0	24.0
2	黄俊		76	411	12.0	16.0
3	刁训刚		55	359	10.0	16.0
4	张金伟		8	44	4.0	6.0
5	王怀义		10	50	4.0	6.0