入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响

• 作者: 周天明 李述体 范广涵 郑树文
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 布拉格反射器 传输矩阵法 GaN基 入射介质
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 514-518
• 页数: 5页
• 分类号: TN248|TN209
• 字数: 2847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.023

摘要

利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析.计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系.根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式.分析了从空气和Al0.4Ga0.5In0.1N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异.为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构.分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
3	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
4	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0